NPN使用B-E电流（Ib）控制C-E电流（Ic）。正常放大时，E极电位最低，C极电位通常最高，即：Vc>Vb>Ve。
PNP使用E-B电流（Ib）控制E-C电流（Ic）。正常放大时，E极电位最高，C极电位通常最低，即：Vc<Vb<Ve。
1. NPN三极管：
基极加高电压1，集电极与发射极短路，即三极管导通；
基极加低电压0，集电极与发射极开路，即三极管截止。
即高电位（高电平）有效。
2. PNP三极管：
基极高电压，集电极与发射极开路，即三极管截止；
基极加低电位，集电极与发射极短路，即三极管导通。
即低电位（低电平）有效。
元件连接说明：
电源 (Vcc)：通常为 5V 或 12V 直流。
基极偏置电阻 (Rb)：连接在 Vcc 与基极之间，用于提供基极电流。
集电极电阻 (Rc)：连接在 Vcc 与集电极之间。
发射极 (E)：直接接地（这是最简形式，无发射极电阻）。
三极管 (Q1)：NPN型，如 9013, 8050等
二、 直流电压档测量判断工作状态
测量方法：黑表笔固定于公共地GND，红表笔依次测 控制极 与 输出极 对地电压。
对于 NPN/IGBT：测 VBE（或 VGE）和 VCE。
对于 PNP：测 VEB（发射极对基极电压）和 VEC。
对于 NMOS：测 VGS 和 VDS。
对于 PMOS：测 VSG（源极对栅极）和 VSD。
下表以 NPN、NMOS 为例，其他器件类推。
注：MOSFET 的“饱和区”在输出特性曲线上对应恒流区（放大区），而“可变电阻区”对应开关导通状态。为与 BJT 术语统一，表中“放大”对应 MOSFET 的恒流区，“饱和”对应 MOSFET 的可变电阻区。实际使用时注意区分。
三、 二极管档测量好坏（在路/离路）
1. 测量原理
二极管档 可测量 PN 结的正向压降（单位 mV），同时发出蜂鸣声提示短路。
在路测量：电路板断电，电容放电后直接测引脚，结果受外围电路影响，需结合经验判断。
离路测量：将器件拆下单独测量，结果最准确。
2. 各器件引脚二极管特性
3. 好坏判断表格
在路测量技巧：
必须断开电路板电源，并给大电容放电。
若测量结果异常，可尝试交换表笔复测，排除外围元件并联的影响。
对于 BJT 和 IGBT，基极/栅极通常接有下拉电阻（几千~几十千欧），在路测基极对地可能会显示电阻值而非二极管特性，此时可断开基极偏置电阻再测。
-----------------------------------------------PMOS与NMOS------------------------------------------
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。
PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了：
源极（S）栅极（G）漏极（D）
N沟道mos导通条件是：栅极电压（Vg） ≥ 源极电压（Vs） + 阈值电压（Vₜₕ，正电压，通常 0.5~5V）
即G给高电平导通
P沟道mos导通条件是：栅极电压（Vg） ≤ 源极电压（Vs） - 阈值电压（Vₜₕ，通常为 0.5~1V）
即G给低电平导通
当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性。
接下来，是寄生二极管的方向判断：
它的判断规则就是：
N沟道，由S极指向D极。
P沟道，由D极指向S极。
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：
要么都由S指向D，
要么都由D指向S。
（想像DS边的三节断续线是连通的）
PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。
PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。
所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。PMOS价格贵，厂商少，型号少。（相对而言，其实MOS 管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）
NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动。
四、MOS管特点
1、输入阻抗非常高，因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以他的输入几乎不取电流，可以用作电子开关。
2、导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗，。
3、开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式。
4、在电路设计 上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作；
4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。
5、极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源。
所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。
6、MOS管栅极很容易被静电击穿，栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏。
前面的几点也可以说是MOS管的优点。最后一点容易击穿也是相对来说的，现在的mos管没有那么容易被击穿，不少都有二极管保护，在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。
用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。
注意防护静电
判别是NMOS 还是 PMOS 以及MOS管好坏。
红表笔（+极）接D极，黑表笔（- 极）接S极：二极体值高于1.200V以上。
黑表笔（- 极）接D极，红表笔（+极）接S极：二极体值低于0.700V以下。
则可以判断，此MOS管为NMOS管。
红表笔（+极）接D极，黑表笔（- 极）接S极：二极体值低于0.700V以下。
黑表笔（- 极）接D极，红表笔（+极）接S极：二极体值高于1.200V以上。
则可以判断，此MOS管为PMOS管。
将万用表调至二极管档，将红表笔接在MOS的S极，黑表笔接在D极， 如果这时候万用表显示0.4V~0.9V（二极管特性，不同MOS管有一定差异）电压值，说明这很可能是一个 NMOS；如果没有读数，说明这很可能是一个PMOS，
所以只需要将上面的红黑表笔返回来再测试一遍，如果情况相反，那么就能够判断是 NMOS 还是PMOS。
如果上面操作万用表都显示一定的电压值，代表MOS管D和S已经击穿损坏。
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